سامسونج تبدأ عملية الإنتاج الضخم للجيل الثاني من الذاكرة العشوائية 10nm RAM

أعلنت شركة سامسونج اليوم أنها بدأت عملية الإنتاج الضخم للجيل الثاني من ذاكرة 8Gb DDR4 بإستخدام عملية 10 نانومتر، وهذه في الأساس ستكون ذاكرتها العشوائية الأساسية في المستقبل. وجدير بالذكر إلى أن هذا الجيل الثاني من الذاكرة العشوائية سيكون أسرع بنحو 10% وأكثر كفاءة في إستهلاك الطاقة بنسبة 15%.

الذاكرة العشوائية الجديدة 8GB DDR4 من شركة سامسونج قادرة على العمل بسرعة 3600 ميغابت في الثانية لكل دبوس مقارنة مع 3200 ميغابت في الثانية في الجيل السابق.

كل هذا يعني أن شركة سامسونج لديها قاعدة أفضل، وسوف تبدأ الشركة قريبًا بإنتاج هذه الذاكرة العشوائية الجديدة بوتيرة أسرع لإستخدامها في الهواتف الذكية والأجهزة اللوحية والحواسيب المحمولة، والحواسيب الشخصية، والساعات الذكية، وفي العديد من الأجهزة الذكية الأخرى.