الذاكرة العشوائية بتقنية DDR5 قادمة وستقدم نقلة كبيرة عن الحالية (DDR4)

أعلن مجلس الأجهزة الإلكترونية المُشترك JEDEC رسمياً عن العمل على تقنية DDR5 الخاصة بالذاكرة العشوائية (Ram) للحواسيب الشخصية، وقد تم التأكيد على أن هذه الذاكرة ستحمل معها ضعف سرعة الذاكرة الحالية DDR4 مع استهلاك أقل للطاقة الكهربائية. على أية حال، لا زال هناك وقتٌ طويلٌ يفصلنا عن الحصول على هذه التقنية، ولن تصل هذه الذاكرة العشوائية للأسواق قبل العام القادم.

من باب الإحاطة بالشيء، فإن مُصطلح DDR يُشير إلى Double Data Rate، وقد بدأت هذه التقنية للذاكرة العشوائية لأول مرة في التسعينات. في بادىء الأمر كان هناك الSDRAM، والتي كانت تنفذ أمراً واحداً من المعالج لكل دورة أو نبضة كهربائية (Clock Cycle)، ومع تقنية الDDR تم تطوير الSDRAM ليتم تنفيذ تعليمتين من المعالج في النبضة الكهربائية الواحدة، تعليمة عند الانتقال من الفولتية المنخفضة إلى المرتفعة (Rising Edge)، وتعليمة أخرى عند الانتقال من الفولتية المرتفعة إلى المنخفضة (Falling Edge)، ومنذ ذلك الحين والتقنية تتطور مع الحفاظ على هذا المفهوم الأساسي.