معايير جديدة لبطاقات الذاكرة “إس دي”

بطاقات الذاكرة إس دي

أشارت جمعية “إس دي” المسؤولة عن مواصفات بطاقات الذاكرة الخارجية، إلى أن المستخدم يلاحظ على بعض بطاقات الذاكرة “إس دي” وجود ثلاثة رموز جديدة، وهي الرقم ثلاثة (III)، وفقا ًللأعداد الرومانية وكذلك الاختصار A2 و LV.

وأضافت الجمعية أن هذه الرموز تشير إلى المعايير الجديدة، التي سيتم تطبيقها مستقبلا؛ حيث يشير الرقم ثلاثة إلى تقنية UHS-III، والتي تتيح سرعة نقل بيانات تصل إلى 624 ميجابايت/الثانية، أي ضعف سرعة نقل البيانات بتقنية UHS-II. وتعمل فئة السرعة الجديدة على تلبية متطلبات تسجيلات الفيديو 360 درجة وتطبيقات الواقع الافتراضي ومقاطع الفيديو بدقة 4K أو 8K.

ويشير المعيار A2 الجديد إلى فئة أداء التطبيق الخاصة ببطاقة الذاكرة Micro-SD، التي يتم استعمالها في الهواتف الذكية والحواسب اللوحية، ويوضح مدى سرعة قراءة بيانات التطبيقات من بطاقة الذاكرة أو مدى سرعة كتابتها. وعلى العكس من معيار A1 فقط زادت السرعة بأكثر من الضعف، حيث زادت سرعة أوامر الإدخال والإخراج من 1500 إلى 4000 في الثانية أثناء القراءة، وزادت من 500 إلى 2000 أثناء الكتابة. ويمكن ملاحظة زيادة السرعة من خلال تشغيل التطبيقات بصورة أسرع.

ويشير الاختصار LV إلى الفولطية المنخفضة، بمعنى أن بطاقة الذاكرة الجديدة تعمل بجهد منخفض؛ حيث تكتفي الموديلات الجديدة من بطاقة الذاكرة بجهد 1.8 فولط، بينما تعمل بطاقات الذاكرة SD العادية بجهد 3.3 فولط.